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產品介紹

利用液相法生長的P型碳化硅襯底具有低電阻、高摻雜濃度、高品質等優勢，能滿足n溝道SiC IGBT、GTO等高壓雙極型器件的制備需求

主要指標

晶型：4H/6H     尺寸：99.5~100 mm              

厚度：350±25 μm   微管密度：＜0.1 cm^-2

電阻率：0.06~0.11 Ω?cm

產品咨詢：劉先生18611467681